證券時報
安宇飛
2024-09-08 23:18
在SiC（碳化硅）功率產(chǎn)品商用提速、新能源汽車行業(yè)快速發(fā)展等加持下，國內(nèi)功率半導(dǎo)體IDM龍頭士蘭微(600460)未來業(yè)績可望實現(xiàn)快速增長。
SiC功率產(chǎn)品加速“上車”
證券時報·e公司記者最新獲悉，目前，士蘭微SiC功率模塊兩款產(chǎn)品——B3D和B3G SiC功率模塊，已經(jīng)在2024年第一季度交付終端批量上車使用，目前產(chǎn)能正處于加速爬坡階段。
在近日舉行的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（2024PCIM）上，士蘭微展出了上述兩款產(chǎn)品。
士蘭微相關(guān)產(chǎn)品負(fù)責(zé)人介紹，前述兩款SiC功率模塊產(chǎn)品搭載士蘭微自主研發(fā)的平面SiC MOSFET芯片，單顆管芯25mm2，對應(yīng)RdsON可以達(dá)到13.5毫歐，目前這兩款SiC模塊提供750V電壓和1200V電壓平臺可供客戶選擇。針對1200V SiC功率模塊，里面可搭配六并SiC和八并SiC芯片選擇，八并SiC目前可輸出600A，六并可實現(xiàn)450A電流輸出功率。
“下一步，士蘭微將推出自己的三代SiC芯片產(chǎn)品，三代SiC芯片可供客戶選擇15V和18V電壓驅(qū)動，對應(yīng)芯片面積分別為25mm2和30mm2的芯片，25mm2芯片對應(yīng)RdsON可以達(dá)到11毫歐，30mm2芯片對應(yīng)RdsON可以達(dá)到9.8毫歐，可以針對客戶的更高功率需求，提供更多選擇。”上述產(chǎn)品負(fù)責(zé)人透露。
值得一提的是，知情人士向記者透露，士蘭微第5代+的IGBT芯片也正大步進(jìn)入汽車和新能源市場。
據(jù)了解，SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，其熱導(dǎo)率及熔點是Si（硅）的2—3倍，電子飽和速度也是Si的2—3倍，這使得SiC材料在高溫穩(wěn)定性、高開關(guān)頻率和低損耗等方面具有顯著優(yōu)勢。SiC器件在微型逆變器中的應(yīng)用展現(xiàn)出巨大的潛力，其高溫穩(wěn)定性、高開關(guān)頻率和低損耗等特性不僅可以提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率，還能降低系統(tǒng)成本。
2018年，特斯拉Model 3主驅(qū)逆變器將SiC MOSFET替代傳統(tǒng)的硅基IGBT，一舉將SiC送上新能源汽車的舞臺中心。此后，越來越多汽車品牌、半導(dǎo)體廠商紛紛投身于SiC器件的研發(fā)與應(yīng)用。時至今日，客戶更高功率密度、更低功耗、更小尺寸與重量的新需求，給匹配特性的SiC器件帶來了快速上量的時機。
未來業(yè)績增長可期
士蘭微電子成立于1997年，2003年3月在上交所主板上市，已發(fā)展成為國內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計與制造（IDM）企業(yè)之一，公司專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、制造和封裝，其技術(shù)水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項指標(biāo)在國內(nèi)同行中均名列前茅。
目前，士蘭微電子在中大尺寸化合物半導(dǎo)體晶圓制造方面取得了顯著進(jìn)展，開發(fā)了多款氮化鎵、碳化硅、砷化鎵及功率芯片工藝制程，這些技術(shù)的成功應(yīng)用為其在SiC功率器件的生產(chǎn)中提供了堅實的基礎(chǔ)。
士蘭微近日披露的半年報顯示，2024年上半年，該公司分立器件產(chǎn)品營收為23.99億元，同比增長約4%，其中超結(jié)MOSFET、IGBT器件、IGBT大功率模塊（PIM）、快恢復(fù)管、TVS管、穩(wěn)壓管等產(chǎn)品的增長較快，公司的超結(jié)MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOSFET、SiC MOSFET等分立器件的技術(shù)平臺研發(fā)持續(xù)獲得較快進(jìn)展，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的水平，其分立器件和大功率模塊除了加快在大型白電、工業(yè)控制等市場拓展外，已開始加快進(jìn)入電動汽車、新能源、算力和通訊等市場，預(yù)期今后公司的分立器件產(chǎn)品營收將繼續(xù)較快成長。
與此同時，2024年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。
士蘭微同時提到，2024年上半年，基于公司自主研發(fā)的II代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗證，并開始實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付，公司已完成第III代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平，公司正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級，盡快將第III代平面柵SiCMOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。
“公司正在加快汽車級IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽車級功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù)計今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊（IGBT模塊和SiC 模塊）等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。”士蘭微董事會表示。
此前，2024年5月，士蘭微公告宣布擬總投資120億元在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiCMOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，兩期建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，本次投資有利于加快實現(xiàn)公司SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善公司在車規(guī)級高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力。
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長續(xù)航里程、縮短充電時長、提高電池容量、實現(xiàn)車身輕量化。目前，特斯拉、比亞迪、理想、蔚來、小米等全球多家車企的熱門車型均已搭載使用SiC器件。隨著技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能擴張，帶動良率提升和成本下降，SiC功率器件有望在新能源汽車領(lǐng)域加速滲透，SiC的潛力應(yīng)用市場還包括工業(yè)、光儲充、軌道交通等領(lǐng)域。2023年全球SiC功率器件市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，年增速達(dá)25%。
