光刻機概念18日盤中強勢拉升,截至發(fā)稿,同飛股份、波長光電20%漲停,藍英裝備漲超10%,海立股份、凱美特氣、張江高科、京華激光等均漲停,新萊應(yīng)材、容大感光、南大光電等漲超4%。
消息面上,為促進首臺(套)重大技術(shù)裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應(yīng)用,加強產(chǎn)業(yè)、財政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同,工業(yè)和信息化部近日印發(fā)《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》,其中在電子專用裝備目錄下,“集成電路生產(chǎn)裝備”包括氟化氬光刻機,光源193納米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。
此外,據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局專利公告,9月10日上海微電子公布一則發(fā)明專利《極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備》,內(nèi)容涉及極紫外輻射(EUV)發(fā)生裝置及光刻設(shè)備。
據(jù)悉,EUV光刻機采用13.5nm波長的極紫外光,可實現(xiàn)8nm的曝光分辨率,用于先進制程芯片制造;其技術(shù)難點在于光學(xué)系統(tǒng)、光源等關(guān)鍵子系統(tǒng)。本次上海微電子披露的專利主要涉及EUV光源和光刻設(shè)備,其中重點的極紫外輻射發(fā)生器(光源)主要包括腔體、靶材發(fā)生器、激光發(fā)生器、收集鏡、電極板、氣控部件等關(guān)鍵部件。
民生證券指出,海外半導(dǎo)體設(shè)備供給持續(xù)高增滿足短期擴產(chǎn)需求,國產(chǎn)光刻機技術(shù)亦在持續(xù)突破,利好半導(dǎo)體設(shè)備自主可控的長期發(fā)展,繼續(xù)看好國內(nèi)晶圓廠的投資增長和國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化機遇,建議關(guān)注:北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、中科飛測、精測電子、芯源微、華海清科等。
校對:王錦程